MJE802G

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Pièce du fabricant

MJE802G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
MJE802G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):4 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):80 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
  • courant - coupure collecteur (max):100µA
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 1.5A, 3V
  • puissance - maximum:40 W
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-225AA, TO-126-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-225AA
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