FCPF165N65S3L1

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Pièce du fabricant

FCPF165N65S3L1

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
951
Fiches techniques en ligne
FCPF165N65S3L1 PDF
Enquête
  • séries:SuperFET® III
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:19A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:165mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 1.9mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1415 pF @ 400 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):35W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220F-3
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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