STI10NM60N

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Pièce du fabricant

STI10NM60N

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
STI10NM60N PDF
Enquête
  • séries:MDmesh™ II
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:550mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
  • vg (max):±25V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:540 pF @ 50 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):70W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I2PAK (TO-262)
  • paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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