HUF76609D3ST

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Pièce du fabricant

HUF76609D3ST

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
10372500
Fiches techniques en ligne
HUF76609D3ST PDF
Enquête
  • séries:UltraFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:160mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:425 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):49W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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