FQD4N25TM-WS

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Pièce du fabricant

FQD4N25TM-WS

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
FQD4N25TM-WS PDF
Enquête
  • séries:QFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):250 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.75Ohm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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