Name: FDB86102LZ
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDB86102LZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: FDB86102LZ

Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

La description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 5579600

Fiches techniques en ligne: FDB86102LZ PDF

FDB86102LZ Avis

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séries:PowerTrench®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8.3A (Ta), 30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1275 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.1W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263AB
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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