MVGSF1N02LT1G

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Pièce du fabricant

MVGSF1N02LT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
5473
Fiches techniques en ligne
MVGSF1N02LT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:750mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:90mOhm @ 1.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:125 pF @ 5 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):400mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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