STP8N120K5

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Pièce du fabricant

STP8N120K5

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
STP8N120K5 PDF
Enquête
  • séries:MDmesh™ K5
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:13.7 nC @ 10 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:505 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):130W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220
  • paquet / caisse:TO-220-3
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