SCT10N120H

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Pièce du fabricant

SCT10N120H

Fabricant
STMicroelectronics
La description
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
33428
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):20V
  • rds sur (max) @ id, vgs:690mOhm @ 6A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 20 V
  • vg (max):+25V, -10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 400 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):150W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:H2Pak-2
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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