SCTH40N120G2V7AG

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Pièce du fabricant

SCTH40N120G2V7AG

Fabricant
STMicroelectronics
La description
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:33A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):18V
  • rds sur (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
  • vg (max):+22V, -10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 800 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):250W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:H2PAK-7
  • paquet / caisse:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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