FGH50T65SQD-F155

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Pièce du fabricant

FGH50T65SQD-F155

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
600000
Fiches techniques en ligne
FGH50T65SQD-F155 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):100 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
  • puissance - maximum:268 W
  • énergie de commutation:180µJ (on), 45µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:99 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:22ns/105ns
  • condition de test:400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):31 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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