STGW10M65DF2

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Pièce du fabricant

STGW10M65DF2

Fabricant
STMicroelectronics
La description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
1198
Fiches techniques en ligne
STGW10M65DF2 PDF
Enquête
  • séries:M
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):20 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:115 W
  • énergie de commutation:120µJ (on), 270µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:28 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:19ns/91ns
  • condition de test:400V, 10A, 22Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):96 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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