ISL9R18120G2

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Pièce du fabricant

ISL9R18120G2

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
10800
Fiches techniques en ligne
ISL9R18120G2 PDF
Enquête
  • séries:Stealth™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
  • courant - moyen redressé (io):18A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:3.3 V @ 18 A
  • vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):70 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 1200 V
  • capacité @ vr, f:-
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-2
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-2
  • température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C
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