MMUN2113LT1G

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Pièce du fabricant

MMUN2113LT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
5988
Fiches techniques en ligne
MMUN2113LT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:PNP - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):100 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
  • résistance - base (r1):47 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:246 mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
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