SMUN5116DW1T1G

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Pièce du fabricant

SMUN5116DW1T1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
SMUN5116DW1T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):4.7kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:160 @ 5mA, 10V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 10mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:187mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363
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