CY14B104N-ZS25XI

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Pièce du fabricant

CY14B104N-ZS25XI

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
384
Fiches techniques en ligne
CY14B104N-ZS25XI PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type de mémoire:Non-Volatile
  • formatage de la mémoire:NVSRAM
  • La technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • taille mémoire:4Mb (256K x 16)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
  • temps d'accès:25 ns
  • tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:44-TSOP II
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Catégorie de produits

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