IRLI510ATU

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Pièce du fabricant

IRLI510ATU

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
IRLI510ATU PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:440mOhm @ 2.8A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 37W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I2PAK (TO-262)
  • paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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