PBRN123ES,126

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Pièce du fabricant

PBRN123ES,126

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
PBRN123ES,126 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Box (TB)
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:NPN - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):800 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):40 V
  • résistance - base (r1):2.2 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):2.2 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:280 @ 300mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:1.15V @ 8mA, 800mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:700 mW
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3
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