2SC3332S-AA-SA

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Pièce du fabricant

2SC3332S-AA-SA

Fabricant
Rochester Electronics
La description
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
964
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • courant - collecteur (ic) (max):700 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):160 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:400mV @ 25mA, 250mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:140 @ 100mA, 5V
  • puissance - maximum:700 mW
  • fréquence - transition:120MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • paquet de dispositif de fournisseur:3-NP
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