H5N2305P-E

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Pièce du fabricant

H5N2305P-E

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
310
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:*
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:-
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):-
  • vce saturation (max) @ ib, ic:-
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • puissance - maximum:-
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:-
  • paquet / caisse:-
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
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