NJVMJD210T4G

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Pièce du fabricant

NJVMJD210T4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
57023
Fiches techniques en ligne
NJVMJD210T4G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:PNP
  • courant - collecteur (ic) (max):5 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):25 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:1.8V @ 1A, 5A
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:45 @ 2A, 1V
  • puissance - maximum:1.4 W
  • fréquence - transition:65MHz
  • température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
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