MJ11016G

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Pièce du fabricant

MJ11016G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
5000
Fiches techniques en ligne
MJ11016G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):30 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):120 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:4V @ 300mA, 30A
  • courant - coupure collecteur (max):1mA
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 20A, 5V
  • puissance - maximum:200 W
  • fréquence - transition:4MHz
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-204AA, TO-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-204 (TO-3)
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