NJVMJD112T4G

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Pièce du fabricant

NJVMJD112T4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
41900
Fiches techniques en ligne
NJVMJD112T4G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):2 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • courant - coupure collecteur (max):20µA
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • puissance - maximum:20 W
  • fréquence - transition:25MHz
  • température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
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