MJD117-1G

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Pièce du fabricant

MJD117-1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
1082
Fiches techniques en ligne
MJD117-1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:PNP - Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):2 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • courant - coupure collecteur (max):20µA
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • puissance - maximum:1.75 W
  • fréquence - transition:25MHz
  • température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
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