BSP52T1G

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Pièce du fabricant

BSP52T1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
5250
Fiches techniques en ligne
BSP52T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):1 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):80 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:1.3V @ 500µA, 500mA
  • courant - coupure collecteur (max):10µA
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 500mA, 10V
  • puissance - maximum:800 mW
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223
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