2SA1955FVBTPL3Z

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Pièce du fabricant

2SA1955FVBTPL3Z

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
10780
Fiches techniques en ligne
2SA1955FVBTPL3Z PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:PNP
  • courant - collecteur (ic) (max):400 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):12 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 200mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 10mA, 2V
  • puissance - maximum:100 mW
  • fréquence - transition:130MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-723
  • paquet de dispositif de fournisseur:VESM
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