2N2102

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Pièce du fabricant

2N2102

Fabricant
NTE Electronics, Inc.
La description
T-NPN SI- GEN PUR AMP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples
Séries
-
En stock
500
Fiches techniques en ligne
2N2102 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bag
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • courant - collecteur (ic) (max):1 A
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):65 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:500mV @ 15mA, 150mA
  • courant - coupure collecteur (max):2nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 150mA, 10V
  • puissance - maximum:1 W
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-39
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