HN1C01FE-GR,LF

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Pièce du fabricant

HN1C01FE-GR,LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
HN1C01FE-GR,LF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):150mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
  • puissance - maximum:100mW
  • fréquence - transition:80MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
  • paquet de dispositif de fournisseur:ES6
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