HN4C51J(TE85L,F)

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Pièce du fabricant

HN4C51J(TE85L,F)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
630
Fiches techniques en ligne
HN4C51J(TE85L,F) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN (Dual) Common Base
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):120V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
  • puissance - maximum:300mW
  • fréquence - transition:100MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-74A, SOT-753
  • paquet de dispositif de fournisseur:SMV
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