HN1C03FU-B,LF

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Pièce du fabricant

HN1C03FU-B,LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
2960
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):300mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):20V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:100mV @ 3mA, 30A
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 4mA, 2V
  • puissance - maximum:200mW
  • fréquence - transition:30MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:US6
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