EMX1FHAT2R

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Pièce du fabricant

EMX1FHAT2R

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
5594
Fiches techniques en ligne
EMX1FHAT2R PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):150mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:400mV @ 5mA, 50mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 6V
  • puissance - maximum:150mW
  • fréquence - transition:180MHz
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
  • paquet de dispositif de fournisseur:EMT6
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