MC1413DR2

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Pièce du fabricant

MC1413DR2

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
11521
Fiches techniques en ligne
MC1413DR2 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:7 NPN Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):500mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:1.6V @ 500µA, 350mA
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 350mA, 2V
  • puissance - maximum:-
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:16-SOIC
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