NTE2018

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Pièce du fabricant

NTE2018

Fabricant
NTE Electronics, Inc.
La description
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Séries
-
En stock
187
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bag
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:8 NPN Darlington
  • courant - collecteur (ic) (max):600mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:1.6V @ 350mA, 500A
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • puissance - maximum:1W
  • fréquence - transition:-
  • température de fonctionnement:-20°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:18-DIP (0.300", 7.62mm)
  • paquet de dispositif de fournisseur:18-PDIP
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