H5N2901LSTL-E

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Pièce du fabricant

H5N2901LSTL-E

Fabricant
Rochester Electronics
La description
N-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:*
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:-
  • La technologie:-
  • tension drain-source (vdss):-
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:-
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:-
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
  • paquet / caisse:-
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