Name: FQD3N30TF
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQD3N30TF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: FQD3N30TF

Fabricant: Rochester Electronics

La description: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 1970

Fiches techniques en ligne: FQD3N30TF PDF

FQD3N30TF Avis

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séries:QFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):300 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 30W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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