STU2LN60K3

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Pièce du fabricant

STU2LN60K3

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N CH 600V 2A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
100
Fiches techniques en ligne
STU2LN60K3 PDF
Enquête
  • séries:SuperMESH3™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 50 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):45W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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