SIHJ7N65E-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SIHJ7N65E-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
3022
Fiches techniques en ligne
SIHJ7N65E-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7.9A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:598mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):96W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SO-8
  • paquet / caisse:PowerPAK® SO-8
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