NTLUS3C18PZTAG

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Pièce du fabricant

NTLUS3C18PZTAG

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
NTLUS3C18PZTAG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):12 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4.4A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:24mOhm @ 7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:15.8 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1570 pF @ 6 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):660mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-UDFN (1.6x1.6)
  • paquet / caisse:6-PowerUFDFN
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