IRLML0060TRPBF

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Pièce du fabricant

IRLML0060TRPBF

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
120000
Fiches techniques en ligne
IRLML0060TRPBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:92mOhm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 25µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:2.5 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.25W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:Micro3™/SOT-23
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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