BUK653R5-55C,127

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Pièce du fabricant

BUK653R5-55C,127

Fabricant
Rochester Electronics
La description
PFET, 120A I(D), 55V, 0.0055OHM,
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
4931
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:TrenchMOS™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):55 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:191 nC @ 10 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:11.516 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):263W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB
  • paquet / caisse:TO-220-3
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