NTLJS1102PTAG

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Pièce du fabricant

NTLJS1102PTAG

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
36000
Fiches techniques en ligne
NTLJS1102PTAG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):8 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3.7A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.2V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:36mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:720mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±6V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.585 pF @ 4 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):700mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-WDFN (2x2)
  • paquet / caisse:6-WDFN Exposed Pad
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