FDFS2P103

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Pièce du fabricant

FDFS2P103

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
29870
Fiches techniques en ligne
FDFS2P103 PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.3A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vg (max):±25V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:528 pF @ 15 V
  • fonction fet:Schottky Diode (Isolated)
  • puissance dissipée (max):900mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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