IRF1104LPBF

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Pièce du fabricant

IRF1104LPBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:9mOhm @ 60A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:93 nC @ 10 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2.9 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-262
  • paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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