SIHB8N50D-GE3

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Pièce du fabricant

SIHB8N50D-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
SIHB8N50D-GE3 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):500 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8.7A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:850mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:527 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):156W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-263 (D²Pak)
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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