TK40E10K3,S1X(S

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Pièce du fabricant

TK40E10K3,S1X(S

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
TK40E10K3,S1X(S PDF
Enquête
  • séries:U-MOSIV
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:40A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:15mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4000 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
  • paquet / caisse:TO-220-3
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