NVMYS2D9N04CLTWG

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Pièce du fabricant

NVMYS2D9N04CLTWG

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:27A (Ta), 110A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 60µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2100 pF @ 20 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.7W (Ta), 68W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK4 (5x6)
  • paquet / caisse:SOT-1023, 4-LFPAK
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