TK5A60D(STA4,Q,M)

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Pièce du fabricant

TK5A60D(STA4,Q,M)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
TK5A60D(STA4,Q,M) PDF
Enquête
  • séries:π-MOSVII
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.43Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.4V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):35W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SIS
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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