SCT3120AW7TL

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Pièce du fabricant

SCT3120AW7TL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:21A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:156mOhm @ 6.7A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5.6V @ 3.33mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 18 V
  • vg (max):+22V, -4V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:460 pF @ 500 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):100W
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-263-7
  • paquet / caisse:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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