NVATS5A113PLZT4G

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Pièce du fabricant

NVATS5A113PLZT4G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
NVATS5A113PLZT4G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:38A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:29.5mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 20 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):60W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:ATPAK
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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