TSM4N60ECH C5G

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Pièce du fabricant

TSM4N60ECH C5G

Fabricant
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
TSM4N60ECH C5G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:545 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):86.2W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-251 (IPAK)
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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